对超薄栅氧化物，采用软击穿(SBD)技术
广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性
模拟。
使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例
时间相关的SBD被纳入电路退化
基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。
SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化
为特征。
多重失效机制的退化效应
并对SRAM细胞的操作进行了研究。
模拟
结果表明，闸极氧化物SBD是主要的失效形式
导致SRAM稳定性和运行退化的机理，
NBTI和HCI的影响要小得多。
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